热门搜索:LEM电流、草莓视频下载入口,IGBT模块 可控硅 二极管快恢复模块,中国台湾建准风扇 台达风扇等。
技术文章 / article 您的位置:网站首页 > 技术文章 > 你了解晶闸管的这些主要特性吗?

你了解晶闸管的这些主要特性吗?

发布时间: 2020-03-02  点击次数: 1210次
  晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。
 
  晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪声;效率高,成本低等。因此,特别是在大功率UPS供电系统中,晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。
 
  (1) 反向特性
 
  当门极G开路,阳极加上反向电压时,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后,晶闸管会发生性反向击穿。
 
  (2) 正向特性
 
  当门极G开路,阳极A加上正向电压时,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
 
  由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿后,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍有增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,如图2的BC段。
 
  (3) 触发导通
 
  在门极G上加入正向电压时,因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

联系草莓视频官网下载地址二维码

北京草莓视频官网下载地址二维码商贸有限公司 公司地址:北京市海淀区中关村大街28-1号   技术支持:化工仪器网
  • 电  话:010-82533956
  • QQ:381104347
  • 公司传真:86-010-82533965
  • 邮箱:guojidong@126.com

扫一扫 更多精彩

微信二维码

网站二维码

联系草莓视频官网下载地址二维码

contact us

扫一扫,关注草莓视频官网下载地址二维码

返回顶部